MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)晶体管是一种半导体器件,广泛用于开关目的和电子设备中电子信号的放大。由于MOSFET的尺寸非常小,因此MOSFET可以是内核或集成电路,它们可以在单个芯片中进行设计和制造。MOSFET器件的引入带来了电子开关领域的变化。让我们对这个概念进行详细的解释。
MOSFET是具有源极(S),栅极(G),漏极(D)和主体(B)端子的四端子设备。通常,MOSFET的主体与源极端子相连,因此形成了一个三端设备,例如场效应晶体管。MOSFET通常被认为是晶体管,并且在模拟和数字电路中都使用。这是MOSFET的基本介绍。该设备的一般结构如下:
根据上述MOSFET结构,MOSFET的功能取决于沟道宽度中发生的电气变化以及载流子(空穴或电子)的流动。电荷载流子通过源极端子进入通道,并通过漏极离开。
通道的宽度由称为栅极的电极上的电压控制,该电极位于源极和漏极之间。它与极薄的金属氧化物层附近的通道绝缘。器件中存在的MOS容量是整个操作的关键部分。
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